9 月 27 日消息，據《半導體行業觀察》報道，新存科技 (武漢) 有限責任公司本月 23 日發布了其自主研發的國產首款最大容量新型 3D 存儲器芯片 NM101。

NM101 基于新型材料電阻變化原理，采用先進工藝制程結合三維堆疊技術，在單顆芯片上集成了百億級規模的非易失性存儲器件，單芯片容量達 64Gb。

新存科技 NM1013D 存儲器芯片支持隨機讀寫，較市面已有大容量非易失性產品讀寫均提速 10 倍以上的同時壽命也增加了 5 倍，能大幅提升系統解決方案的性能。

新存科技總經理劉峻表示：

NM101 的研發成功，是新存科技團隊多年自主研發的成果。

這款芯片可以為我國的數據中心、云計算廠商等提供大容量、高密度、高帶寬、低延時的新型存儲解決方案，彰顯了國內新型存儲技術持續創新的特點。

我們期待這款產品能夠為國產存儲芯片生態的繁榮貢獻一份力量。

新存科技官網資料顯示，該公司成立于 2022 年 7 月，專注于 SCM（注：存儲級內存）類別新型存儲芯片的研發、生產、銷售。