一年可省3億度電！九峰山實驗室發布氮化鎵電源模塊新成果
聚勢、攻堅、破局……6月19日，在武漢市“建設支點 當好龍頭”主題報告會“推動科技創新和產業創新深度融合”專場，湖北九峰山實驗室工藝中心總經理柳俊以《創新體制機制，點亮化合物半導體全球燈塔》為題作報告。報告尾…
快科技3月24日消息，據報道，九峰山實驗室科研團隊近日取得重大突破，成功在全球范圍內首次實現了8英寸硅基氮極性氮化鎵（N-polarGaNOI）高電子遷移率材料的制備。 這一里程碑式的成果不僅打破了國際技術…
相較于傳統的分立封裝外置光源和 FC 微組裝光源，九峰山實驗室片上光源技術能有效解決傳統硅光芯片耦合效率不夠高、對準調節時間長、對準精度不夠好的工藝問題，突破了制作成本高、尺寸大、難以大規模集成等量產瓶頸…
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